亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<pre id="e5s77"><label id="e5s77"></label></pre>

<pre id="e5s77"><label id="e5s77"></label></pre>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

環(huán)球晶：6英寸碳化硅基板價格已經(jīng)穩(wěn)定

理想汽車大動作！自研碳化硅功率芯片完成裝機(jī)：進(jìn)軍純電動

日本硅晶圓制造商Sumco宣布2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)

同光半導(dǎo)體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動

同光半導(dǎo)體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動

總投資50億美元！又一個8英寸碳化硅晶圓工廠即將投產(chǎn)！

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購

九奕半導(dǎo)體設(shè)備取得光刻機(jī)送料機(jī)構(gòu)專利，使硅片涂布更均勻

投資69億港元！香港首座世界先進(jìn)第三代半導(dǎo)體碳化硅八英寸晶圓廠簽約

清純半導(dǎo)體與士蘭微電子繼續(xù)深化8英寸碳化硅量產(chǎn)線技術(shù)支撐與代工合作

晶馳機(jī)電8英寸碳化硅電阻式長晶爐通過客戶驗證

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

基本半導(dǎo)體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目預(yù)計2026年一季度試生產(chǎn)

總投資約300億元，重慶8英寸碳化硅項目2月底通線投片！

華工科技：400G硅光模塊批量出貨 800G LPO產(chǎn)品即將上量

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

碳化硅襯底龍頭天岳先進(jìn)擬港股上市

爍科晶體：全球首發(fā)12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅襯底

中硅高科1000噸/年半導(dǎo)體用硅烷項目正式投產(chǎn)！

河北同光半導(dǎo)體申請具有 p/n 結(jié)結(jié)構(gòu)的碳化硅單晶柔性膜專利，實(shí)現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

總投資27.75億元！科大硅谷高新孵化園一期主體結(jié)構(gòu)完成全面封頂

浙江材孜科技取得碳化硅單晶生長裝置專利，有利于生長空間的穩(wěn)定性

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

華為申請?zhí)蓟?span id="bj2zqw2" class="highlight">硅襯底制備方法專利，使碳化硅襯底內(nèi)部應(yīng)力分布均勻

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

環(huán)球晶圓獲芯片法案4.06億美元補(bǔ)貼，將建設(shè)美國首座大批量300毫米硅晶圓工廠

長飛先進(jìn)武漢碳化硅基地設(shè)備進(jìn)場

第5頁/共50頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<bdo id="lhadv"><span id="lhadv"></span></bdo>