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兩項(xiàng)碳化硅標(biāo)準(zhǔn)，立項(xiàng)！

標(biāo)準(zhǔn) | 《半橋拓?fù)渲蠸iC MOSFET開關(guān)損耗準(zhǔn)確評估測試方法》立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動態(tài)特性測試方法》立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET模塊局部放電試驗(yàn)方法立項(xiàng)

CASA與CSA共同立項(xiàng)《面向光治療的柔性LED光源拉伸彎曲可靠性試驗(yàn)方法》等2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

上海：啟動寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料等11家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室籌建立項(xiàng)

上海：啟動“上海市寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”等11家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室籌建立項(xiàng)

先導(dǎo)激光氮化鎵藍(lán)光裝備全鏈條國產(chǎn)化項(xiàng)目順利立項(xiàng)

CASA立項(xiàng)“半導(dǎo)體材料紫外光電子能譜測試方法”等2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)“氮化鋁晶片位錯密度檢測方法腐蝕坑密度測量法”等2項(xiàng)氮化鋁團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

500萬華芯半導(dǎo)體VCSEL芯片的研發(fā)項(xiàng)目獲批立項(xiàng)

華芯半導(dǎo)體VCSEL芯片研發(fā)項(xiàng)目獲批立項(xiàng)

CASA立項(xiàng)GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測試方法1項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

CASA立項(xiàng)SiC MOSFET動態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗(yàn)方法2項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

博眾精工：半導(dǎo)體創(chuàng)新聯(lián)合體被納入指令性立項(xiàng)項(xiàng)目清單旨在構(gòu)建國內(nèi)半導(dǎo)體2.5D/3D封裝設(shè)備關(guān)鍵平臺

CASA與CSA共同立項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《面向光治療的柔性LED光源拉伸度測試方法》

智信科技2024年立項(xiàng)34項(xiàng)科技項(xiàng)目，涵蓋SiC模塊技術(shù)

CASA立項(xiàng)《碳化硅單晶生長用等靜壓石墨》標(biāo)準(zhǔn)

年產(chǎn)70萬片6-8英寸碳化單晶襯底項(xiàng)目通過立項(xiàng)審批

CASA立項(xiàng)11項(xiàng)SiC MOSFET測試類團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

江蘇省計(jì)量院一項(xiàng)助力半導(dǎo)體研發(fā)的科研項(xiàng)目獲批立項(xiàng)

蘇州公示前沿技術(shù)研究和科技成果轉(zhuǎn)化擬立項(xiàng)項(xiàng)目，20+IC項(xiàng)目入選

聞泰科技、重慶大學(xué)聯(lián)合提案的SiC MOSFET開關(guān)動態(tài)測試標(biāo)準(zhǔn)提案立項(xiàng)

清單來了！2023年度車規(guī)級芯片科技攻關(guān)“揭榜掛帥”榜單任務(wù)擬立項(xiàng)項(xiàng)目正在公示

華工科技：第三代半導(dǎo)體制程裝備等16個項(xiàng)目已經(jīng)規(guī)劃立項(xiàng)

科技部等：關(guān)于進(jìn)一步加強(qiáng)統(tǒng)籌國家科技計(jì)劃項(xiàng)目立項(xiàng)管理工作的通知

中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)獲得立項(xiàng)

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