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以人為本光醫(yī)療與光健康技術最新進展

MIT工程師在創(chuàng)建新半導體材料工作上取得重大進展

蘇州納米所孫錢團隊在硅襯底GaN基縱向功率器件方面取得新進展

英偉達收購Arm新進展，歐盟宣布深入調(diào)查

浙江首條12吋晶圓生產(chǎn)線項目最新進展

中科大在日盲紫外探測領域取得新進展

鄭州大學物理學院在氧化鎵基日盲光電探測方面取得進展

北理工在鈣鈦礦晶體的消色差1/4波片特性研究方面取得突破進展

日本半導體招商努力新進展：美光科技將投資70億美元建廠

山東力冠微電子孫軍偉：第三代半導體晶體生長及相關裝備進展

凱德石英擬投資4800萬元加快零部件國產(chǎn)化進展

南砂晶圓碳化硅項目建設取得新進展

無錫總投資40億的半導體項目迎來新進展

【CASICON 2021】蘇州晶湛半導體向鵬：用于新型GaN功率器件的外延技術進展

【CASICON 2021】中電科五十五所劉強：碳化硅MOSFET技術問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進展

【CASICON 2021】廈門大學梅洋：氮化鎵基VCSEL技術進展

【CASICON 2021】北京大學楊學林：Si襯底上GaN基電子材料外延生長技術研究進展

【CASICON 2021】南京大學陳鵬：低開啟/超高壓GaN肖特基功率器件研究新進展

【CASICON 2021】啟迪半導體鈕應喜：碳化硅外延裝備及技術進展

【CASICON 2021】東南大學教授劉斯揚：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

株洲國創(chuàng)越摩先進封裝項目取得階段性進展總投資26.8億

CASICON 2021前瞻：碳化硅MOSFET技術問題及55所產(chǎn)品開發(fā)進展

CASICON 2021前瞻：碳化硅外延裝備及技術進展

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CASICON 2021前瞻：南京大學電子科學與工程學院陳鵬教授將出席南京功率與射頻半導體應用峰會

中科院上海微系統(tǒng)所程新紅研究員將出席南京功率與射頻應用峰會，將帶來“SOI基GaN材料及功率器件集成技術進展”

電子科技大學教授鄧小川將出席南京功率與射頻應用峰會分享極端應力下SiC MOSFET器件動態(tài)可靠性研究進展

高壓大功率碳化硅電力電子器件研制進展

首款隱形AR眼鏡Mojo Lens 最新進展，具備14000 PPI的Micro LED顯示屏

半絕緣碳化硅單晶襯底的研究進展

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