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中科院微電子所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進展

聞泰科技：自研IGBT系列產(chǎn)品流片成功，取得階段性重大進展

碳化硅技術(shù)再突破爍科晶體、晶盛機電、露笑科技迎新進展

鄭州大學(xué)物理學(xué)院在自供能多色顯示研究方面取得進展

芯導(dǎo)科技2021年凈利同比增54.38%，氮化鎵業(yè)務(wù)及研究有進展

車規(guī)級”封測項目開工，捷捷微電子多個功率半導(dǎo)體項目進展如何？

西電周弘教授：超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵器件最新研究進展

高溫溶液法生長SiC單晶的研究進展

中國人大陳珊珊教授團隊在寬帶隙超薄二維氮化鎵的可控制備方面獲新進展

上海硅酸鹽所在自發(fā)凝固成型制備大尺寸/復(fù)雜形狀高純氧化鋁部件方面取得新進展

一周要聞回顧：半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)起云涌，眾多公司動作頻頻，多項研究獲新進展

碳化硅激光剝離設(shè)備國產(chǎn)化，中電科二所取得突破性進展

鄭州大學(xué)物理學(xué)院在光晶格原子鐘的主動頻率測量理論方面取得進展

中科院蘇州納米所團隊在石墨烯調(diào)控的氮化鎵遠程外延機理研究獲新進展

碳化硅激光剝離設(shè)備國產(chǎn)化中電科二所取得突破性進展

世界紀錄效率！南京大學(xué)現(xiàn)工院譚海仁團隊在《Nature》發(fā)文報道全鈣鈦礦疊層電池重要研究進展

中國科大郭光燦院士團隊在硅基半導(dǎo)體自旋量子比特操控研究中取得進展

奧趨光電王琦琨博士：PVT法生長高質(zhì)量大尺寸AlN單晶的最新進展與挑戰(zhàn)

最新關(guān)注氮化物半導(dǎo)體襯底與外延技術(shù)進展

西安電子科技大學(xué)劉志宏：面向移動SoC應(yīng)用的氮化鎵射頻器件研究進展

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院汪青：GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進展

最新進展分享氮化鎵功率電子器件論壇成功舉行

IFWS& SSLCHINA 2021：超寬禁帶半導(dǎo)體材料最新進展

應(yīng)用潛力不斷釋放固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)最新進展

復(fù)旦大學(xué)特聘教授張清純：SiC器件和模塊的最新進展

照明新時代光健康與光品質(zhì)技術(shù)應(yīng)用新進展

聚焦新勢力鈣鈦礦量子點與激光照明顯示技術(shù)進展

啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕應(yīng)喜：第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及進展

中電科48所鞏小亮：SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創(chuàng)新進展

技術(shù)與應(yīng)用新進展 SSLCHINA 2021：固態(tài)紫外器件應(yīng)用論壇成功舉行

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