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【CASICON 2021】東南大學教授劉斯揚：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

【CASICON 2021】Crosslight創(chuàng)始人李湛明：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

【CASICON 2021】云南鍺業(yè)公司首席科學家惠峰：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用

【CASICON 2021】湖南國芯半導體科技戴小平：SiC模塊封裝技術探討

【CASICON 2021】中國電科首席科學家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術大學雷建明：GaN功率開關器件及其高頻電源應用

CASICON 2021前瞻：6 inch GaAs 基 VCSEL 和射頻外延技術

CASICON 2021前瞻：碳化硅MOSFET技術問題及55所產品開發(fā)進展

CASICON 2021前瞻：1kV寬禁帶LLC變換器控制與應用

CASICON 2021前瞻：碳化硅與金剛石單晶襯底技術與產業(yè)化研究

CASICON 2021前瞻：金剛石微波功率器件研究

CASICON 2021前瞻：碳化硅外延裝備及技術進展

CASICON 2021前瞻：VCSEL用六英寸超低位錯密度砷化鎵單晶片研制及應用

CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應用的GaN HEMT增強型器件技術

CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化鎵半導體功率電子器件

CASICON 2021前瞻：SiC模塊封裝技術探討

CASICON 2021前瞻：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

CASICON 2021前瞻：氧化鎵基雙極型異質結功率器件研究

CASICON 2021前瞻：南京大學陳敦軍教授將出席南京功率與射頻半導體應用峰會

CASICON 2021前瞻：復旦大學青年研究員樊嘉杰將出席南京功率與射頻半導體應用峰會

CASICON 2021前瞻：南京大學電子科學與工程學院陳鵬教授將出席南京功率與射頻半導體應用峰會

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