亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<rp id="is0hk"></rp>

<center id="is0hk"><optgroup id="is0hk"><th id="is0hk"></th></optgroup></center>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

【CASICON 2021】中國(guó)電科首席科學(xué)家陳堂勝：低溫鍵合金剛石GaN HEMT微波功率器件

【CASICON 2021】南京工業(yè)職業(yè)技術(shù)大學(xué)雷建明：GaN功率開關(guān)器件及其高頻電源應(yīng)用

GaN功率器件未來(lái)5-6年的發(fā)展趨勢(shì)

CASICON 2021前瞻：面向高可靠性、高能效應(yīng)用的GaN HEMT增強(qiáng)型器件技術(shù)

國(guó)產(chǎn)SiC & GaN功率器件已達(dá)國(guó)際一流水平，組建歐洲銷售團(tuán)隊(duì)“出海"

CASICON 2021前瞻：將GaN功率器件推向極限——材料和TCAD視角

聚能創(chuàng)芯/聚能晶源總經(jīng)理袁理將出席2021中國(guó)（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)應(yīng)用峰會(huì)

CASICON 2021前瞻：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院陳鵬教授將出席南京功率與射頻半導(dǎo)體應(yīng)用峰會(huì)

中科院上海微系統(tǒng)所程新紅研究員將出席南京功率與射頻應(yīng)用峰會(huì)，將帶來(lái)“SOI基GaN材料及功率器件集成技術(shù)進(jìn)展”

國(guó)星光電：公司近期推出的第三代半導(dǎo)體新品GaN-DFN器件可應(yīng)用于新能源汽車充電、手機(jī)快充等

北京航天微電芯片孵化產(chǎn)業(yè)園開工，將建GaN/GaAs射頻芯片研制線

氣派科技：公司開發(fā)出了國(guó)內(nèi)首款5G MIMO基站GaN微波射頻功放塑封封裝產(chǎn)品

賽微電子：已推出數(shù)款GaN功率芯片產(chǎn)品并進(jìn)入小批量生產(chǎn)

快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度

Si基GaN 射頻器件研究進(jìn)展

瀚鎵半導(dǎo)體將在浦東建設(shè)4英寸GaN中試線

英飛凌：SiC、GaN功率元件5年內(nèi)成本將逐步降低

華微電子：公司正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)

GaN電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm收購(gòu)AFSW晶圓廠100%權(quán)益

華為入局氮化鎵快充市場(chǎng)，2021或迎GaN快充爆發(fā)期？

納米多孔GaN+QD制作MicroLED

禹創(chuàng)半導(dǎo)體完成超億元A+輪融資，未來(lái)繼續(xù)攻關(guān)第三代GaN等產(chǎn)品研發(fā)

第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

氮化鎵（GaN）射頻器件市場(chǎng)：2026年預(yù)計(jì)達(dá)到24億美元以上

Eggtronic推出基于GaN的電動(dòng)汽車無(wú)線充電技術(shù)

閾值高達(dá)8.4V！GaN又破解一項(xiàng)難題

賽微電子：GaN外延材料一期產(chǎn)能為1萬(wàn)片/年，已簽訂千萬(wàn)級(jí)合同

到2027年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過(guò)45億美元

GaN電力電子器件的現(xiàn)在與未來(lái)

到2027年，氮化鎵和碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將超過(guò)45億美元

第12頁(yè)/共15頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部