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CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進(jìn)方法

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動(dòng)態(tài)電阻與動(dòng)態(tài)閾值電壓

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

法國AlN創(chuàng)企EasyGaN宣布倒閉

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

納微GaNSafe?正式通過車規(guī)認(rèn)證

MaM發(fā)表深圳大學(xué)劉新科團(tuán)隊(duì)綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術(shù)

晶湛半導(dǎo)體發(fā)布第二代Full Color GaN?全彩系列外延片，攜ZDP?平臺(tái)助力AR眼鏡商業(yè)化進(jìn)程

比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN擬被2.5億歐元收購，計(jì)劃生產(chǎn)光芯片

標(biāo)準(zhǔn) | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》形成委員會(huì)草案

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

超6300萬！三墾電氣全資收購GaN企業(yè)Powdec株式會(huì)社

聞泰科技：公司預(yù)計(jì)包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開始逐步放量

重磅發(fā)布｜九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次發(fā)布！

材料深一度｜一篇帶你了解GaN HEMT最全產(chǎn)品情況

中企競標(biāo)收購比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法征求意見

比利時(shí)氮化鎵制造商BelGaN破產(chǎn)，中國買家競購設(shè)備資產(chǎn)

豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓

南京郵電大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進(jìn)展

安徽格恩半導(dǎo)體申請GaN基化合物半導(dǎo)體激光元件專利，提升光束質(zhì)量因子

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

納維達(dá)斯半導(dǎo)體申請 GaN 半橋電路等專利，提升電路性能

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

蘇州立琻半導(dǎo)體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

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