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CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)電科第十三研究所蘆偉立：面向特種器件應(yīng)用的SiC多層超厚外延進(jìn)展及機(jī)遇

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CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所伍紹騰:基于異質(zhì)集成晶圓鍵合技術(shù)的硅基材料與器件研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所楊曉光：面向硅光集成的III-V族量子點(diǎn)材料與激光器

CASICON晶體大會(huì)前瞻|西安交通大學(xué)王若錚：MPCVD法生長(zhǎng)英寸級(jí)單晶金剛石的相關(guān)機(jī)理探討

60+前沿報(bào)告公布！CASICON晶體大會(huì)最新演講嘉賓出爐，精彩搶先看

臺(tái)亞半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目進(jìn)入產(chǎn)品量產(chǎn)階段

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CASICON晶體大會(huì)前瞻|金奎娟院士：光與低維氧化物相互作用研究

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CASICON晶體大會(huì)前瞻 |創(chuàng)銳光譜金盛燁：瞬態(tài)光譜技術(shù)及其在SiC晶圓缺陷檢測(cè)中的應(yīng)用

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CASICON晶體大會(huì)前瞻 |江風(fēng)益院士：V形PN結(jié)銦鎵氮發(fā)光及應(yīng)用

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |北京大學(xué)教授沈波：AlN單晶襯底和外延薄膜的制備

安徽晶隆年產(chǎn)630萬(wàn)片含SiC外延材料項(xiàng)目封頂

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |江蘇通用半導(dǎo)體鞏鐵建：碳化硅晶錠剝離工藝應(yīng)用

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |西安交通大學(xué)李強(qiáng)：六方氮化硼薄膜制備及器件應(yīng)用

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：界面缺陷效應(yīng)對(duì) GaN功率電子器件的影響研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|深圳大學(xué)劉新科：低成本垂直氮化鎵功率器件

士蘭微電子擬合資建設(shè)月產(chǎn)6萬(wàn)片8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線

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