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中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長(zhǎng)的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

西湖大學(xué)工學(xué)院仇旻團(tuán)隊(duì)研究進(jìn)展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應(yīng)

日本電裝Denso、富士電機(jī)合建SiC項(xiàng)目

平湖實(shí)驗(yàn)室何光澤：面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用| IFWS2024

國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾王川寶：SiC基電力電子及射頻芯片技術(shù)發(fā)展研究 | IFWS2024

IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項(xiàng) SiC MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

天科合達(dá)8英寸SiC襯底二期項(xiàng)目開(kāi)工！

昕感科技申請(qǐng)一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專(zhuān)利，提升終端效率并提高工藝容錯(cuò)率

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長(zhǎng)裝置專(zhuān)利，提高晶體生長(zhǎng)速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

南京南瑞半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型SiC器件及其制備方法專(zhuān)利，可防止器件過(guò)早擊穿燒毀

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)新型多級(jí)溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專(zhuān)利，方法制作工藝簡(jiǎn)單

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線(xiàn)電壓最高可達(dá)1500 VDC，效率更高，設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單

富特科技：已實(shí)現(xiàn)SiC半導(dǎo)體器件在產(chǎn)品中的量產(chǎn)應(yīng)用，且應(yīng)用技術(shù)已相對(duì)成熟

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所SiC晶圓平坦化設(shè)備采購(gòu)項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商

爍科晶體SiC二期項(xiàng)目通過(guò)竣工驗(yàn)收，正式投產(chǎn)！

新潔能：SiC/GaN項(xiàng)目年底竣工投產(chǎn)

鉅芯半導(dǎo)體新建SiC生產(chǎn)線(xiàn)

方正微電子8吋SiC線(xiàn)年底通線(xiàn)

方正微電子：2025年將具備16.8萬(wàn)片/年車(chē)規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

泰國(guó)將投資3.5億美元建設(shè)首個(gè)SiC工廠(chǎng)，預(yù)計(jì)2027年運(yùn)營(yíng)

利用SiC模塊進(jìn)行電動(dòng)壓縮機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

20億！科友半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目簽約杭州

ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地SiC項(xiàng)目

芯聯(lián)集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET產(chǎn)品出貨量均位居國(guó)內(nèi)第一

漢磊&世界先進(jìn)攜手共建8吋SiC產(chǎn)線(xiàn)

羅姆與聯(lián)合汽車(chē)電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議

捷報(bào)！合盛8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目全線(xiàn)貫通

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