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天岳先進(jìn)開(kāi)啟招股，擬募資約18億擴(kuò)張大尺寸SiC襯底產(chǎn)能

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國(guó)際首發(fā)！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

九峰山實(shí)驗(yàn)室新型SiC Trench MOSFET科研級(jí)器件樣品發(fā)布！

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安森美和舍弗勒擴(kuò)大合作，推出基于EliteSiC的新型插電式混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)

晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠

標(biāo)準(zhǔn) | “基于感性負(fù)載的SiC 功率模塊老化篩選試驗(yàn)方法”形成委員會(huì)草案

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用，贏得市場(chǎng)認(rèn)可

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平

晶盛機(jī)電馬來(lái)西亞 SiC 工廠啟動(dòng)！

斯達(dá)半導(dǎo)擬再融資15億元，投向SiC等3大車(chē)規(guī)器件項(xiàng)目

中電化合物與甬江實(shí)驗(yàn)室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，推動(dòng)SiC材料在AR領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

標(biāo)準(zhǔn) | 《半橋拓?fù)渲?span id="vph2ac2" class="highlight">SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗準(zhǔn)確評(píng)估測(cè)試方法》立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)特性測(cè)試方法》立項(xiàng)

某單位SIC光刻版采購(gòu)項(xiàng)目公開(kāi)招標(biāo)公告

年產(chǎn)100萬(wàn)只！這個(gè)SiC模塊產(chǎn)線落戶廣東省

瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應(yīng)用技術(shù)革新

從8英寸量產(chǎn)到12英寸突破！合盛硅業(yè)全鏈條攻克SiC核心技術(shù)再攀高峰！

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年底通線！株洲中車(chē)8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進(jìn)展

天岳先進(jìn)：上海臨港工廠二期8吋SiC襯底擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃正在推進(jìn)中

效率損耗雙領(lǐng)跑！大族半導(dǎo)體SiC晶錠激光剝片技術(shù)單片15min單耗470μm！

標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見(jiàn)稿

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CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技施?。?span id="hzactvl" class="highlight">SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來(lái)趨勢(shì)

CSPSD 2025前瞻|國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展

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