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瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應用,贏得市場認可

日期:2025-07-14 閱讀:272
核心提示:近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200VSiC35mΩMOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能

 近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)交付近200萬顆,為應用系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。

關(guān)于1200V 35mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品

 瞻芯電子1200V 35mΩ SiC MOSFET是基于最新的第3代SiC MOSFET工藝平臺開發(fā)的重要產(chǎn)品系列,具有下列4種型號,均按汽車級可靠性標準(AEC-Q101)設(shè)計和測試認證,具有低損耗、高可靠、高頻開關(guān)等特點,其驅(qū)動電壓推薦18V,且兼容15V。特別值得一提的是,該系列產(chǎn)品導通電阻(Ron)具有較低的溫升系數(shù),能在高溫條件下,仍然保持較低的導通電阻,確保應用系統(tǒng)高效運行。其中首批量產(chǎn)的2款產(chǎn)品分別為TO247-4插件封裝(IV3Q12035T4Z)和TO263-7貼片封裝(IV3Q12035D7Z),通過了嚴格的AEC-Q101認證,更進一步配合多家知名光伏、充電樁客戶完成了系統(tǒng)級測試和驗證,進入批量交付階段。 

 

為滿足不同應用場景的需求,該系列產(chǎn)品開發(fā)了4種封裝型號,不僅具有成熟的TO247-4和TO263-7封裝,而且還有更低寄生參數(shù)的TO247-4Slim封裝,以及支持頂部散熱的TC3Pak封裝。上述4種封裝均有開爾文源極引腳,可解耦驅(qū)動和功率回路,降低開關(guān)損耗 。

 

 

 典型應用場景

充電樁、車載空調(diào)壓縮機、車載電子空懸、光伏MPPT和逆變器、開關(guān)電源

(來源:瞻芯電子)

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