日前，株洲中車(chē)董事長(zhǎng)、執(zhí)行董事李東林在投資者活動(dòng)中透露，株洲三期于2024年11月份啟動(dòng)建設(shè)，2025年5月主體廠(chǎng)房封頂，預(yù)計(jì)2025年下半年啟動(dòng)設(shè)備搬入，2025年底有望實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線(xiàn)拉通，該項(xiàng)目為8英寸SiC晶圓。

此外，株洲中車(chē)還擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線(xiàn)，當(dāng)前已具備年產(chǎn)2.5萬(wàn)片6英寸SiC芯片產(chǎn)能。

技術(shù)方面，株洲中車(chē)第三代精細(xì)平面柵SiC產(chǎn)品已定型，技術(shù)水平行業(yè)主流；第四代溝槽柵設(shè)計(jì)定型，達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平，并且對(duì)第五代SiC技術(shù)完成布局。目前SiC重點(diǎn)產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiC  MOSFET、1200V精細(xì)平面柵SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V溝槽柵 SiC  MOSFET性能指標(biāo)基本對(duì)標(biāo)國(guó)際龍頭企業(yè)。