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九峰山實驗室新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品發(fā)布！

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深圳平湖實驗室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進展，性能指標達到國際先進水平

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斯達半導擬再融資15億元，投向SiC等3大車規(guī)器件項目

中電化合物與甬江實驗室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，推動SiC材料在AR領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關(guān)損耗準確評估測試方法》立項

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從8英寸量產(chǎn)到12英寸突破！合盛硅業(yè)全鏈條攻克SiC核心技術(shù)再攀高峰！

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CSPSD 2025前瞻|揚杰科技施?。?span id="i2wh772" class="highlight">SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

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揚杰科技10億元SiC車規(guī)級功率半導體模塊封裝項目開工

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