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安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

森國科推出用于5G微基站電源的碳化硅二極管（SiC JBS）

資本加速涌入SiC和GaN領(lǐng)域

聯(lián)合電子首款基于 SiC MOSFET的 6.6kW 車載充配電單元批產(chǎn)

碳化硅（SiC）迎來爆發(fā)！盤點今年1月份國外SiC的最新進展及技術(shù)

如何減少SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗

特斯拉引爆的車用SiC市場

SK集團以268億韓元收購韓國唯一SiC設(shè)計、制造商33.6％股權(quán)

國外SiC的最新進展及技術(shù)

氮化鎵和碳化硅功率半導(dǎo)體市場將在2029年突破50億美元大關(guān)

積極布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，華微電子邁進發(fā)展快車道

SiC器件概述及其熱測試難點

SiC器件如何增加功率電路的安培容量

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多汽車廠商押注！SiC 成汽車領(lǐng)域新星

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2021起或?qū)⑷娌捎肎aN和SiC，化合物半導(dǎo)體起飛！

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日本名古屋大學(xué)宇治原徹：CFD模擬預(yù)測系統(tǒng)在SiC生長中的應(yīng)用

深圳第三代半導(dǎo)體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復(fù)合提高層”設(shè)計

華北電力大學(xué)李學(xué)寶：高壓SiC器件中的封裝絕緣問題研究

浙江大學(xué)任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究

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