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上半年SiC汽車中國銷售近110萬輛，多家SiC概念股受益業(yè)績大增

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實(shí)現(xiàn)將源于生長區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

三安半導(dǎo)體與虹安微電子戰(zhàn)略合作，加強(qiáng)SiC領(lǐng)域合作

芯聯(lián)集成：公司SiC以及功率模組的增長主要受益于頭部客戶需求增加及國產(chǎn)替代的需求

羅姆第4代SiC MOSFET大量應(yīng)用于吉利旗下品牌“極氪”3款車型

德智新材半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項目落戶惠山經(jīng)開區(qū)

揚(yáng)杰科技：IGBT和SiC產(chǎn)品有序推進(jìn)中

三安光電：上半年營業(yè)收入76.79億元，SiC營收5.12億元

《Applied Physics Letters》發(fā)表西電大馬曉華教授研究組科研成果

半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項目落戶惠山經(jīng)開區(qū)

總投資約10億元，半導(dǎo)體用SiC部件材料研發(fā)制造基地項目簽約落地

國星光電上半年營收凈利潤雙增 SiC-SBD產(chǎn)品已獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證

芯華睿半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅及硅基功率模塊（IGBT/SiC）項目量產(chǎn)

起底國產(chǎn)SiC：內(nèi)卷、降本、困局

CASA立項SiC MOSFET動態(tài)/穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗方法2項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌全球最大SiC芯片廠啟動生產(chǎn)

中國SiC芯片價格將下降30%

韓國化學(xué)材料公司Nano CMS宣布，公司新碳化硅（SiC）材料加工廠已竣工，并于本月開始全面運(yùn)營。

約2.6億！東海炭素擬建SiC晶圓

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見

標(biāo)準(zhǔn)| SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

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全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場2034年將增至110.8億美元

湖南三安：全面加速8吋SiC產(chǎn)業(yè)布局！設(shè)備正式搬入！

SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

瞻芯電子七周年慶：創(chuàng)新驅(qū)動，碳化硅(SiC)技術(shù)改變未來

揚(yáng)杰科技申請降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

某單位SiC第三批貨物便捷詢價采購項目便捷詢價公告

通用半導(dǎo)體：SiC晶錠激光剝離全球首片最薄(130um)晶圓片下線

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