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Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETsTibor GRASSER奧地利維也納工業(yè)大學微電子研究所所長、教授Tibor GRASSERProfessor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universit?t Wien, Austria

SiC功率MOSFET技術及應用進展柏松中國電子科技集團首席專家、寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室主任BAI SongChief Scientist of China Electronics Technology Group Corporation, Director of National Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices

GaN/SiC功率器件在航天電源的應用前景Application prospect of GaN/SiC power devices in aerospace power supply萬成安北京衛(wèi)星制造廠有限公司領域總師WAN Chengan Field Chief Engineer of Beijing Satellite Manufacturing Factory Co., Ltd

SiC功率器件在光伏逆變器中的應用進展Application progress of SiC power devices in photovoltaic inverters劉保頌錦浪科技技術研究中心總監(jiān)LIU Baosong Technical director of Ginlong Technologies co.,ltd

用于先進SiC功率模塊的整體解決（核心設備/材料/工程）方案Overall solution (core equipment/materials/engineering) for advanced SiC power module周鑫蘇州博湃半導體技術有限公司市場銷售總監(jiān)ZHOU XinDirector of Sales Marketing, Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd.

SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究Development trends and challenges of SiC Power MOSFET device 張藝蒙西安電子科技大學微電子學院教授Yimeng Zhang Professor of School of Microelectronics, Xidian University

SiC MOS器件氧化后退火新途徑低溫再氧化退火技術A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大連理工大學教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology

SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創(chuàng)新進展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

SiC器件在新能源汽車產業(yè)中的應用Application of SiC devices in the new energy automobile industry吳壬華深圳欣銳科技股份有限公司董事長WURenhuaChairofthe Board, SHINRY

SiC器件和模塊的最新進展RecentAdvancesofSiCPowerDevices張清純復旦大學特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University

用于極端環(huán)境電子產品的 SiC 集成電路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工學院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden

極智報告|西安特銳德智能充電科技有限公司總工程師王利強 ：電動汽車充電技術發(fā)展及SiC應用。更多專業(yè)學術報告，請點擊頁面頂端下載極智頭條APP，海量報告，免費看！

深圳基本半導體有限公司副總經理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設計引入到量產工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術IP和產業(yè)化經驗。

美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；

西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》

瑞士Microdiamant研發(fā)部門負責人Christian JENTGENS帶來了題為多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應用及其關鍵工藝技術的主題報告，報告表示，碳化硅業(yè)務的主要目標是提高效率，并介紹了SiC晶圓加工的個性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產品品質優(yōu)劣以及關鍵的流程步驟等內容。

蘇州鍇威特半導體股份有限公司研發(fā)副總 譚在超 《SiC MOSFET的產品特征及在電力電子的應用機遇》

西安電子科技大學微電子學院院長張玉明：SiC MOSFET高閾值的實現及給應用帶來的優(yōu)勢