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報告嘉賓：北京天科合達半導體股份有限公司副總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)劉春俊博士 報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產(chǎn)業(yè)進展》

報告簡介單晶4H型碳化硅臺階生長機理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門大學副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University

奧趨光電吳亮：高功率UVC-LED用AlN單晶襯底生長最新進展及其未來挑戰(zhàn)

中國科學院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果?；谛脱趸壦a(chǎn)的一些器件在能源使用中發(fā)揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個重要問題，在自然能源不斷減少，價格不斷上升的背景下，我們需要找到一個更加有效的方式來利用能源。當前在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域，包括高鐵和智能電網(wǎng)等，硅仍然是主導材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢的地方。

西安交通大學教授王宏興做了關(guān)于微機電系統(tǒng)單晶金剛石微結(jié)構(gòu)制備的報告。

山東大學/濟南中烏新材料有限公司王?，|做了高溫高壓單晶實驗室生長金剛石技術(shù)的介紹，分享了單晶金剛石生產(chǎn)技術(shù)方面的工作及成果。