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《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長(zhǎng)研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院

《GaN材料碳雜質(zhì)行為與激光器研究進(jìn)展》作者：趙德剛單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)

《寬禁帶半導(dǎo)體材料中載流子調(diào)控的普適性原理探討》作者：黃豐單位：中山大學(xué)材料學(xué)院

《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院

特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長(zhǎng)優(yōu)化和反應(yīng)器設(shè)計(jì)》研究報(bào)告。報(bào)告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內(nèi)成功仿真AlGaN生長(zhǎng)?？紤]到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長(zhǎng)速率和組分與實(shí)驗(yàn)中的非常一致。這一技術(shù)使我們有可能優(yōu)化氮化物MOCVD并設(shè)計(jì)升級(jí)反應(yīng)器。

常州星宇車燈股份有限公司工程師李茹分享了熱界面材料的特性及其對(duì)LED車燈散熱和可靠性影響的研究成果，結(jié)合具體的研究實(shí)踐，她

垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對(duì)大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會(huì)上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實(shí)踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長(zhǎng)及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。

江蘇南大光電材料股份有限公司陳化冰副總裁受邀出席第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇期間，接受極智頭

上海大學(xué)教授，Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮分享了大批量工藝制備的高質(zhì)量氮化鋁模板材料表征分析。報(bào)告中介紹了使用Ult

報(bào)告嘉賓：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 研究員 黃勇 主題報(bào)告：《銻化物半導(dǎo)體材料及器件》

西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了題為金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展的主題報(bào)告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導(dǎo)率極高，抗輻照等優(yōu)點(diǎn)。在熱沉，大功率、高頻器件，光學(xué)窗口，量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。報(bào)告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長(zhǎng)方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長(zhǎng)方法。她表示，實(shí)現(xiàn)室溫下高電離率的體摻

作為基礎(chǔ)材料，熒光粉的技術(shù)水平與半導(dǎo)體照明發(fā)展密切相關(guān)，有研稀土新材料股份有限公司副總經(jīng)理、教授級(jí)高級(jí)工程師劉榮輝分享了大功率照明用熒光材料研發(fā)進(jìn)展。 當(dāng)前，LED照明光源呈現(xiàn)出朝著大電流密度、高光效方向發(fā)展，第三代半導(dǎo)體照明向著高能、短波特性方向發(fā)展等趨勢(shì)，現(xiàn)有大功率照明存在著結(jié)溫高、散熱量大，結(jié)溫高降低產(chǎn)品使用壽命，溫度高熒光粉量子效率降低，溫度高硅膠熱應(yīng)力增大、折射率降低等問題，可以通過熒光粉料

同步輻射X射線衍射法實(shí)現(xiàn)氮化鎵襯底及同質(zhì)外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國(guó)立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長(zhǎng)，東京工業(yè)大學(xué)兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶：低毒性量子點(diǎn)復(fù)合材料LED器件應(yīng)用

英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告

河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶帶來則介紹了量子點(diǎn)用于固態(tài)照明的量子點(diǎn)硅脂納米復(fù)合材料。更多精彩報(bào)告，請(qǐng)關(guān)注下載極智頭條APP！

北京康美特科技股份有限公司總工程師孫宏杰針對(duì)公司生產(chǎn)的SMC支架做了“大功率LED用SMC支架材料的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)”報(bào)告，報(bào)告指出康美特目前所具備的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：一是樹脂的合成、純化；二是添加劑的合成以及配方工藝及質(zhì)量控制方面的優(yōu)勢(shì)。更多精彩報(bào)告，請(qǐng)關(guān)注下載極智頭條APP！

山東大學(xué)/濟(jì)南中烏新材料有限公司王?，|做了高溫高壓?jiǎn)尉?shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)金剛石技術(shù)的介紹，分享了單晶金剛石生產(chǎn)技術(shù)方面的工作及成果。

蘇州大學(xué)功能納米與軟物質(zhì)研究院教授馮敏強(qiáng)在“高效白光OLED材料及器件工程”。主要介紹什么做白光OLED及應(yīng)用，并從材料、合成器件的研究，把OLED的效率提高。

所有的技術(shù)都有一個(gè)發(fā)展過程，尤其對(duì)于電網(wǎng)來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當(dāng)中的應(yīng)用。其中對(duì)電網(wǎng)整體對(duì)材料的要求，材料部分的需求和裝備的國(guó)內(nèi)國(guó)際進(jìn)展進(jìn)行了細(xì)致介紹。他表示，預(yù)期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應(yīng)當(dāng)是可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應(yīng)該可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣來說對(duì)電網(wǎng)的預(yù)期是整