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英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù):從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告
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2019-12-30 13:03
【極智課堂】CASA氮化
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本期嘉賓蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理任勉為我們分享的主題是《氮化鎵主題報(bào)告(二)氮化鎵(GaN)電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展》
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2025-08-12 19:11
極智報(bào)告|美國倫斯勒
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周達(dá)成授表示,在過去十年中,基于兩個(gè)寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體(GaN和SiC)的功率開關(guān)器件正在影響功率電子系統(tǒng),這是由于其良好的工業(yè)效用和改善的性能,且比傳統(tǒng)的硅基器件的功率損耗低和能量效率高。他表示,通過模擬和實(shí)驗(yàn)應(yīng)力(如電流崩塌和高溫反偏),評估了現(xiàn)有......請?jiān)赪IFI條件下反復(fù)觀看!
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2025-08-12 19:11
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