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東微半導科創(chuàng)板上市即將網上路演,募資9.39億元加碼功率器件

日期:2022-01-20 閱讀:484
核心提示:1月20日,蘇州東微半導體股份有限公司(以下簡稱東微半導體)首次公開發(fā)行人民幣普通股(A股)并在科創(chuàng)板上市(以下簡稱本次發(fā)行
1月20日,蘇州東微半導體股份有限公司(以下簡稱“東微半導體”)首次公開發(fā)行人民幣普通股(A股)并在科創(chuàng)板上市(以下簡稱“本次發(fā)行”)的申請已于2021年11月4日經上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市委員會委員審議通過,并已于2021年12月21日經中國證券監(jiān)督管理委員會同意注冊(證監(jiān)許可〔2021〕4040號)。1月21日進行網上路演。
 
本次發(fā)行采用向戰(zhàn)略投資者定向配售(以下簡稱“戰(zhàn)略配售”)、網下向符合條件的投資者詢價配售(以下簡稱“網下發(fā)行”)和網上向持有上海市場非限售A股股份和非限售存托憑證市值的社會公眾投資者定價發(fā)行(以下簡稱“網上發(fā)行”)相結合的方式進行。中國國際金融股份有限公司或“保薦機構(主承銷商)”)擔任本次發(fā)行的保薦機構(主承銷商)。發(fā)行人和保薦機構(主承銷商)將通過網下初步詢價直接確定發(fā)行價格,網下不再進行累計投標詢價。本次初始發(fā)行股票數量為1,684.4092萬股,占發(fā)行后發(fā)行人總股本的25.00%,全部為公開發(fā)行新股,公司股東不進行公開發(fā)售股份。
 
本次發(fā)行初始戰(zhàn)略配售發(fā)行數量為252.6613萬股,占發(fā)行數量的15.00%,最終戰(zhàn)略配售數量與初始戰(zhàn)略配售數量的差額將首先回撥至網下發(fā)行?;負軝C制啟動前,網下初始發(fā)行數量為1,002.2479萬股,占扣除初始戰(zhàn)略配售數量后發(fā)行數量的70.00%;回撥機制啟動前,網上初始發(fā)行數量429.50萬股,占扣除初始戰(zhàn)略配售數量后發(fā)行數量的30.00%。
東微半導體此次計劃募資 9.39億元,其中, 2億元用于超級結與屏蔽柵功率器件產品升級及產業(yè)化項目, 1.08億元用于新結構功率器件研發(fā)及產業(yè)化項目, 1.7億元用于研發(fā)工程中心建設項目, 4.57億元用于科技與發(fā)展儲備資金。
 
據了解,東微半導成立于 2008年,專注于高性能功率器件的研發(fā)與銷售,在半導體功率器件領域擁有強大的自主研發(fā)能力,形成了多項核心技術與專利,并成功應用于功率器件產品之中,推動了創(chuàng)新技術的產業(yè)化,是國內少數具備從專利到量產完整經驗的高性能功率器件設計公司之一,并在應用于工業(yè)級領域的高壓超級結和中低壓功率器件產品領域實現了國產化替代。
 
東微半導體自成立以來,完成了多輪增資和股權轉讓,同時也獲得了眾多知名投資機構的青睞,其中包括華為旗下投資平臺哈勃投資等。 2020年 4月,哈勃投資與東微半導體股東簽署《增資協(xié)議》,約定哈勃投資向東微半導體投資 7530萬元。注冊稿顯示,目前,哈勃投資持有東微半導體 6.5913%的股份,為東微半導體的第六大股東。
 
東微半導體在高端功率半導體器件技術方面有著深厚積累, 2016年公司開始量產我國首個充電樁用核心功率半導體器件,成為國內首家進入充電樁行業(yè)供應鏈的高壓功率半導體企業(yè)。目前,公司系列產品被廣泛應用于直流充電樁、 5G通訊電源、工業(yè)電源、服務器、直流電機驅動、光伏逆變器等領域,成為基礎元器件國產替代的重要支撐力量。
 
基于多年的技術積累,產業(yè)鏈深度結合能力以及優(yōu)秀的客戶服務能力,東微半導體已成為國內領先的高性能功率器件設計廠商。東微半導體產品的終端應用聚焦在工業(yè)級領域同時也廣泛應用在消費級領域。
 
在工業(yè)及汽車相關應用領域中,公司積累了新能源汽車直流充電樁領域的終端用戶如英飛源、英可瑞、特銳德、永聯(lián)科技等, 5G基站電源及通信電源領域的終端用戶如華為、維諦技術、麥格米特等,以及工業(yè)電源領域的終端用戶如高斯寶、金升陽、雷能、通用電氣等。在消費電子領域中,公司積累了大功率顯示電源領域的終端用戶如視源股份、美的、創(chuàng)維、康佳等。
 
基于多年的技術積累和研發(fā)投入,東微半導體在半導體功率器件領域擁有強大的自主研發(fā)能力并形成了多項專利。截至 2021年 6月 30日,公司已獲授權的專利 53項,包括境內專利 38項,其中發(fā)明專利 37項、實用新型專利 1項,以及境外專利 15項。
 
東微半導體目前也在積極布局第三代半導體材料,并實現了碳化硅功率器件的樣品。今年 7月,東微半導體立項了第三代半導體 SiC功率器件自主研發(fā)項目,主要針對以碳化硅為襯底的第三代半導體材料功率器件進行研發(fā),不過目前該項目尚處于立項階段。
 
東微半導體表示,結合公司戰(zhàn)略發(fā)展的目標,在產業(yè)并購及整合的用途中,公司考慮重點在汽車級功率器件設計、 SiC 功率器件設計以及模塊設計應用等方向投資并購國內外優(yōu)質企業(yè)。

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