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羅姆與臺達聯(lián)手開發(fā)第三代半導體GaN(氮化鎵)功率器件

日期:2022-04-27 來源:半導體產業(yè)網閱讀:308
核心提示:4月27日,羅姆和臺達電子共同宣布,就第三代半導體GaN(氮化鎵)功率器件的開發(fā)與量產締結戰(zhàn)略合作伙伴關系。
4月27日,羅姆和臺達電子共同宣布,就第三代半導體GaN(氮化鎵)功率器件的開發(fā)與量產締結戰(zhàn)略合作伙伴關系。
 
羅姆指出,雙方將利用臺達多年來積累的電源開發(fā)技術與羅姆的功率元器件開發(fā)和生產技術,聯(lián)合開發(fā)適合更多電源系統(tǒng)的600V耐壓GaN功率器件。
 
據了解,今年3月,羅姆確立了柵極耐壓高達8V的“150V耐壓GaN HEMT”的量產體系,并將該系列產品命名為“EcoGaN?”,產品非常適用于基站和數據中心等工業(yè)設備和各種物聯(lián)網通信設備的電源電路應用。今后,羅姆將繼續(xù)擴大“EcoGaN?”的產品陣容,并致力于進一步提高產品性能。 
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