天眼查知識產權信息顯示，上海積塔半導體有限公司申請一項名為“半導體結構的制備方法及半導體結構“，公開號 CN202410804692.9 ，申請日期為 2024 年 6 月 。
專利摘要顯示，本申請涉及一種半導體結構的制備方法及半導體結構，包括：提供基底；基底包括襯底、位于襯底內且沿第一方向間隔排布的多個有源區(qū)，以及位于有源區(qū)之間的襯底上的柵極結構；于基底上形成疊層結構；在相同的刻蝕條件下，刻蝕疊層結構，形成多個接觸孔；接觸孔暴露出柵極結構和有源區(qū)；其中，疊層結構中靠近基底的子層的刻蝕速率小于疊層結構中遠離基底的子層的刻蝕速率。由于疊層結構包括多個子層，疊層結構中各子層越靠近基底，刻蝕速率越小，從而可保護基底，同時，由于疊層結構中各子層的刻蝕速率是逐漸變化的，因此，避免了因相鄰膜層之間的刻蝕選擇比過大形成底切結構。
