Wolfspeed 正在擴展其行業(yè)領先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立器件產(chǎn)品線，新增采用頂部散熱（TSC）封裝的 U2 系列產(chǎn)品。該系列提供 650 V 至 1200 V 多種電壓選項，能顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率，同時優(yōu)化熱管理性能并增強電路板布局靈活性。

應用領域：  

• 電動汽車車載充電機及快速充電基礎設施

• 電動汽車與工業(yè)暖通空調（HVAC）電機驅動

• 高電壓 DC/DC 轉換器  

• 太陽能及儲能系統(tǒng)  

• 工業(yè)電機驅動  

• 工業(yè)電源  

產(chǎn)品特性：

• 提供滿足 JEDEC 與 AEC-Q101 標準的選項

• 低剖面、表面貼裝設計  

• 頂部散熱，熱阻（Rth）低  

• 碳化硅（SiC）MOSFET 電壓范圍：750 V 至 1200 V  

• 碳化硅（SiC）肖特基二極管計劃覆蓋 650 V 至 1200 V  

優(yōu)勢： 

• 碳化硅（SiC）頂部散熱（TSC）封裝中最大的爬電距離  

• 通過優(yōu)化 PCB 布局實現(xiàn)更高系統(tǒng)功率密度  

• 表面貼裝設計支持大規(guī)模量產(chǎn)  

新特性：新款頂部散熱（TSC）封裝的優(yōu)勢

大多數(shù)標準表面貼裝分立功率半導體器件通過底部與 PCB 直接接觸的方式散熱，并依賴安裝在 PCB 下方的散熱器或冷卻板。這種散熱方式廣泛應用于各類電力電子場景，尤其在 PCB 安裝空間和散熱器重量不受限制的應用中尤為常見。

相比之下，頂部散熱（TSC）器件通過封裝頂部實現(xiàn)散熱。在頂部散熱（TSC）封裝內部，芯片采用倒裝方式布置于封裝上層，使熱量能夠直接傳導至頂部表面。這類器件特別適合汽車及電動交通系統(tǒng)等高性能應用場景——這些領域對高功率密度、先進熱管理方案和小型化封裝有著嚴苛要求。在這些應用中，頂部散熱（TSC）器件通過實現(xiàn)最大功率耗散并優(yōu)化熱性能，有效滿足了系統(tǒng)的冷卻需求。

頂部散熱（TSC）設計還實現(xiàn)了 PCB 的雙面利用，因為底板表面不再需要為散熱器預留接口。將散熱器從熱路徑中移除，不僅顯著降低了系統(tǒng)整體熱阻，還支持自動化組裝工藝——這一優(yōu)勢可大幅提升生產(chǎn)效率，從而打造出更具成本效益的解決方案。

SpeedVal™ Kit 評估平臺：輕松測試 U2 頂部散熱（TSC）器件

Wolfspeed SpeedVal Kit 模塊化評估平臺為工程師提供了一套靈活的構建模塊，可在實際工作點對系統(tǒng)性能進行電路內評估，從而加速從硅器件向碳化硅（SiC）的轉型過渡。最新發(fā)布的三相評估主板不僅支持高功率靜態(tài)負載測試，更能為先進電機控制固件的開發(fā)提供基礎平臺。

針對 Wolfspeed 頂部散熱（TSC）MOSFET 不同導通電阻 Rdson 的評估板即將推出。  

(來源：Wolfspeed)