近日，北方華創(chuàng)正式發(fā)布SICRIUS PY302系列12英寸低壓化學(xué)氣相硅沉積立式爐設(shè)備。該設(shè)備面向高端邏輯芯片與存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域非晶硅、多晶硅薄膜沉積技術(shù)，成功攻克高深寬比結(jié)構(gòu)填充、高平坦度薄膜生長(zhǎng)和兼容低溫工藝三大技術(shù)瓶頸，標(biāo)志著北方華創(chuàng)在高端半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域持續(xù)取得關(guān)鍵技術(shù)突破。

在三維集成芯片制造成為主流的今天，堆疊層數(shù)的增加帶來(lái)了更高的深寬比要求，這使得垂直結(jié)構(gòu)填充面臨挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)填充工藝容易產(chǎn)生孔洞，從而導(dǎo)致器件失效。SICRIUS PY302系列設(shè)備通過(guò)其低壓反應(yīng)腔技術(shù)和多區(qū)獨(dú)立高精度溫控系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了自下而上的無(wú)缺陷填充，確保了高臺(tái)階覆蓋率。這一技術(shù)突破為邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片等頭部企業(yè)的量產(chǎn)需求提供了堅(jiān)實(shí)保障。 

在高端芯片柵極制造中，實(shí)現(xiàn)薄膜的高平坦度是一項(xiàng)關(guān)鍵挑戰(zhàn)。SICRIUS PY302系列設(shè)備采用全自主設(shè)計(jì)的全石英腔室與高精度溫度控制加熱器，結(jié)合氣體流場(chǎng)與熱場(chǎng)協(xié)同控制算法，將膜厚均勻性和表面粗糙度控制在原子級(jí)，顯著提升晶體管電性穩(wěn)定性。同時(shí)，該設(shè)備集成了多種硅源前驅(qū)體，并實(shí)現(xiàn)了原位清洗、原位刻蝕和多元素?fù)诫s等先進(jìn)工藝功能，從而大幅降低了器件的缺陷率。 

目前，SICRIUS PY302系列設(shè)備已通過(guò)多家領(lǐng)先晶圓廠的嚴(yán)格驗(yàn)證，在先進(jìn)邏輯與存儲(chǔ)芯片制造中實(shí)現(xiàn)了規(guī)模量產(chǎn)，并持續(xù)獲得重復(fù)訂單，為半導(dǎo)體制造企業(yè)提供了高效、可靠的設(shè)備解決方案。

作為中國(guó)集成電路裝備的平臺(tái)型企業(yè)，北方華創(chuàng)始終以“推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步，創(chuàng)造無(wú)限可能”為使命，持續(xù)聚焦刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法、離子注入等核心裝備的技術(shù)迭代，為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入創(chuàng)新動(dòng)力，攜手合作伙伴共同構(gòu)建安全、高效、可持續(xù)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

（來(lái)源：北方華創(chuàng)）