英諾賽科 (Innoscience) 雙向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性價(jià)比，可支持新型雙向電力電子系統(tǒng)。它取代了傳統(tǒng)的背靠背 Si MOSFET，顯著降低了功率損耗，提高了開關(guān)速度，并縮小了電源系統(tǒng)的尺寸，降低了 BOM 成本。當(dāng)前，我們正在擴(kuò)展組件生態(tài)系統(tǒng)，通過(guò)100V 低邊驅(qū)動(dòng) IC INS1011SD 支持 VGaN™。

INS1011SD + VGaN™ 使 BMS 系統(tǒng)更小、更高效、更低成本！

英諾賽科 (Innoscience) 推出全球首款 100V 低邊驅(qū)動(dòng)器芯片 INS1011SD，旨在優(yōu)化 40V 至 120V 雙向 VGaN™的柵極驅(qū)動(dòng)，簡(jiǎn)化 BMS（電池管理系統(tǒng)）中的低邊電池保護(hù)，并消除笨重復(fù)雜的背靠背 Si MOS 設(shè)計(jì)。

全球首款，性能卓越

• 超低功耗：8uA 典型靜態(tài)電流，極大延長(zhǎng)電池待機(jī)時(shí)間

• 高速開關(guān)：具備高速開通和關(guān)斷能力，能夠快速響應(yīng)故障保護(hù)系統(tǒng)

• 強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力：能夠驅(qū)動(dòng)多顆VGaN™并聯(lián)，滿足大電流應(yīng)用

• 廣泛兼容性：兼容主流AFE和MCU 控制邏輯

• 寬工作電壓與高耐壓：VCC提供從8V-90V的電壓范圍，且關(guān)鍵引腳耐壓高

• 標(biāo)準(zhǔn)封裝：標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝，方便使用和貼裝

革命性替代，顛覆傳統(tǒng)BMS

英諾賽科 100V 低邊驅(qū)動(dòng)芯片 INS1011SD 專為驅(qū)動(dòng) VGaN™而生，二者結(jié)合完美替代傳統(tǒng)兩顆或多顆背靠背SiMOS及其驅(qū)動(dòng)方案，帶來(lái)小型化、輕量化、降成本的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)。

• 減小系統(tǒng)尺寸和重量： VGaN™體積小，能夠以一替二，簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路；

• 降低系統(tǒng)成本：減小器件數(shù)量，如MOSFET、相關(guān)驅(qū)動(dòng)及PCB占板面積；

• 提升效率： VGaN™導(dǎo)通電阻Rds(on)更低，開關(guān)損耗更??；

• 簡(jiǎn)單易用：INS1011SD兼容現(xiàn)有主流AFE/MCU控制邏輯，方便工程師集成到現(xiàn)有BMS設(shè)計(jì)中

多領(lǐng)域賦能，提升應(yīng)用價(jià)值

高性能 INS1011SD+雙向 VGaN™，可廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)（BMS）低邊保護(hù)、儲(chǔ)能電池包、電動(dòng)交通電池保護(hù)、不間斷電源和蓄電池保護(hù)以及電動(dòng)工具等電池供電設(shè)備保護(hù)等，實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更省、更高效的優(yōu)勢(shì)！ 

至此，英諾賽科完成了從單一VGaN™系列到“ VGaN™+專用驅(qū)動(dòng)”的完整解決方案的邁進(jìn)，推動(dòng)氮化鎵技術(shù)實(shí)現(xiàn)更廣泛、更便捷的應(yīng)用，構(gòu)建完善生態(tài)。