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上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專利，提高散熱性能

長宇科技取得一項(xiàng)外延生長基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

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長飛先進(jìn)與中信銀行簽約合作

晶合集成申請一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及動態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率

揚(yáng)杰科技申請一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過薄

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芯導(dǎo)科技申請一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚(yáng)杰科技申請“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

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上海積塔半導(dǎo)體申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，避免因相鄰膜層刻蝕選擇比過大形成底切結(jié)構(gòu)

英諾激光：公司已實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)碳化硅退火制程的激光器

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