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國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導載流子及其導致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應用

深圳平湖實驗室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學術(shù)會議ISPSD2025

北京大學團隊成功研制無閾值電壓負漂650V/10A增強型GaN器件

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀錄的單模 GaN 激光器

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

山東大學/晶鎵半導體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

中科大微電子學院在GaN器件輻照效應研究方向取得重要進展

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進展

武漢大學聯(lián)合中科大iGaN實驗室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進展

南京郵電大學研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進展

北京大學團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

北大集成電路學院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

南京大學在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

中國科大微電子學院在GaN HEMT開關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進展

中國科大微電子學院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進展

中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進展

中科大孫海定iGaN實驗室研究三維垂直集成microLED陣列實現(xiàn)無掩膜深紫外光刻新技術(shù)

北京大學在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進展

技術(shù)進展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強型電力電子器件

豐田合成、大阪大學等成功制備6吋GaN襯底

半導體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

北大團隊新型器件技術(shù)加速GaN進入工業(yè)與汽車應用

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