亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<pre id="oheqh"><input id="oheqh"><th id="oheqh"></th></input></pre>

<pre id="oheqh"><label id="oheqh"></label></pre><bdo id="oheqh"><span id="oheqh"></span></bdo>

<bdo id="f5kwf"><span id="f5kwf"></span></bdo>

<p id="f5kwf"><pre id="f5kwf"></pre></p>

<i id="f5kwf"></i>

<bdo id="f5kwf"><span id="f5kwf"></span></bdo><bdo id="f5kwf"><acronym id="f5kwf"><del id="f5kwf"></del></acronym></bdo>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

新進(jìn)展│深圳大學(xué)劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質(zhì)集成的高性能寬光譜探測(cè)器研究新成果

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

山東大學(xué)彭燕、徐現(xiàn)剛團(tuán)隊(duì)在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復(fù)合襯底的進(jìn)展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

日本開(kāi)發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

科研新進(jìn)展 | 廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

石墨烯/GaN異質(zhì)結(jié)中的雙極性光響應(yīng)及其在自由空間安全光通信中的應(yīng)用研究

南京大學(xué)在GaN基Micro LED研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

簡(jiǎn)述GaN 外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管

簡(jiǎn)述金剛石在 GaN 功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

簡(jiǎn)述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡(jiǎn)述HVPE 法 GaN 單晶摻雜研究新進(jìn)展

簡(jiǎn)述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

簡(jiǎn)述選擇GaN或SiC器件的重點(diǎn)

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

GaN襯底研發(fā)獲新突破！

河工大張紫輝團(tuán)隊(duì)在GaN基Micro-LED方面獲得新進(jìn)展

淺述GaN功率器件的發(fā)展

北京交大科研團(tuán)隊(duì)提出GaN器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻的精確測(cè)試與優(yōu)化方法

簡(jiǎn)述提高GaN效率的新?lián)诫s技術(shù)

簡(jiǎn)述納微GaNSense技術(shù)及專利布局

簡(jiǎn)述使用不同類型GaN FET 設(shè)計(jì)提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)功率密度

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

Wolfspeed：GaN HEMT 大信號(hào)模型

大阪大學(xué)、豐田合成等合作利用Na助熔劑法培育出世界上最大的6英寸高品質(zhì)GaN晶體

6英寸高品質(zhì)GaN晶體最新進(jìn)展

第2頁(yè)/共3頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部