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國際首發(fā)！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議ISPSD2025

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀(jì)錄的單模 GaN 激光器

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

重磅發(fā)布｜九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次發(fā)布！

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進(jìn)展

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測(cè)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

南京郵電大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測(cè)器取得進(jìn)展

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

中國科大微電子學(xué)院在GaN HEMT開關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進(jìn)展

中國科大微電子學(xué)院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進(jìn)展

中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進(jìn)展

中科大孫海定iGaN實(shí)驗(yàn)室研究三維垂直集成microLED陣列實(shí)現(xiàn)無掩膜深紫外光刻新技術(shù)

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

技術(shù)進(jìn)展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術(shù)的p-GaN柵極增強(qiáng)型電力電子器件

豐田合成、大阪大學(xué)等成功制備6吋GaN襯底

半導(dǎo)體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

北大團(tuán)隊(duì)新型器件技術(shù)加速GaN進(jìn)入工業(yè)與汽車應(yīng)用

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