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聞泰科技：已布局第三代化合物半導(dǎo)體，暫無(wú)氧化鎵相關(guān)產(chǎn)品

國(guó)內(nèi)首批！銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

敏源傳感的氮氧化物調(diào)理芯片MY9706通過(guò)車規(guī)級(jí)HTOL認(rèn)證

國(guó)內(nèi)第一！中國(guó)電科46所成功制備6英寸氧化鎵單晶

中國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶成功制備，第四代半導(dǎo)體呼嘯而來(lái)

招聘：中科院寧波材料所氧化物半導(dǎo)體方向誠(chéng)聘副研究員和博士后

新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料廠商銘鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破

日企將大規(guī)模量產(chǎn)氧化鎵器件

A 輪融資近億元！銘鎵半導(dǎo)體將建國(guó)內(nèi)首條氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線

一文了解第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵(Ga2O3)

中國(guó)研發(fā)再突破！15億美元的氧化鎵市場(chǎng)如何引發(fā)多國(guó)博弈？

未來(lái)10年左右，氧化鎵器件或成為有競(jìng)爭(zhēng)力的電力電子器件

氧化鎵功率半導(dǎo)體6英寸新突破，成本有望大降

美國(guó)康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING：對(duì)抗氮化鎵和碳化硅的氧化鎵功率器件Ga2O3

大連理工大學(xué)王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途徑--低溫再氧化退火技術(shù)

下一代半導(dǎo)體：越走越“寬”，還是越“窄”？

【CASICON 2021】美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)張宇昊：氧化鎵功率器件制備與封裝技術(shù)

【CASICON 2021】南京大學(xué)葉建東：氧化鎵雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

【CASICON 2021】中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵：低成本高性能氧化鎵功率器件

CASICON 2021前瞻：低成本高性能氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件

CASICON 2021前瞻：氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究

浙大杭州科創(chuàng)中心獲得首批氧化鎵單晶襯底

洪泰基金領(lǐng)投 “氧化鎵”材料產(chǎn)業(yè)化先行者銘鎵半導(dǎo)體完成數(shù)千萬(wàn)元Pre-A輪融資

寧波新材料五年發(fā)展規(guī)劃出爐，氮化鎵、碳化硅、氧化鋅等第三代半導(dǎo)體材料被提及

全球首次日本芯片迎來(lái)重大突破，成功量產(chǎn)氧化鉀100mm晶圓

第四代半導(dǎo)體氧化鎵的機(jī)遇和挑戰(zhàn)

湖北大學(xué)何云斌:高性能基于氧化鎵的日盲光電探測(cè)器的開(kāi)發(fā)

上海光學(xué)精密機(jī)械研究所夏長(zhǎng)泰:極寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵單晶摻質(zhì)之實(shí)踐與思考

日本國(guó)立佐賀大學(xué)郭其新：超寬帶隙氧化鎵的低溫生長(zhǎng)和表征

西工大研制出續(xù)航時(shí)間提升7倍的二氧化碳電池

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