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北京大學許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)高性能中波紫外發(fā)光器件制備

晶升股份實現(xiàn)碳化硅材料制備關鍵環(huán)節(jié)全覆蓋

泰科天潤“一種低反向恢復干擾平面柵VDMOS及其制備方法”專利公布

國家重點研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應釜設計制造技術”項目啟動暨實施方案論證會召開

深圳平湖實驗室成功制備國內(nèi)首個氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

鎵仁半導體實現(xiàn)晶圓級6英寸斜切氧化鎵襯底制備

沙特KAUST李曉航團隊：STO新型制備工藝實現(xiàn)2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED

新突破︱鎵仁半導體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

南京工業(yè)大學先進材料AM：界面誘導生長法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

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瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

長光華芯“半導體光子晶體發(fā)光結構及其制備方法”專利公布

重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關速度與線性區(qū)能力

三安半導體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

蘇州長光華芯取得模式調(diào)控半導體發(fā)光結構及其制備方法專利

全球首創(chuàng)！九峰山實驗室在氮極性氮化鎵材料制備領域取得新突破

泰科天潤“一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法”專利公布

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質(zhì)結深紫外LED芯片

長春光機所優(yōu)化并制備出高亮度HiBBEE非均勻波導半導體激光器

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

捷捷微電“一種縱向變摻雜的IGBT結構及制備方法”專利公布

鎵仁半導體成功制備VB法(非銥坩堝)4英寸氧化鎵單晶

基本半導體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

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成都士蘭半導體申請半導體外延結構及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應

長光華芯“一種釋放氧化應力的VCSEL芯片及其制備方法”專利獲授權

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