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國(guó)際首發(fā)！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

九峰山實(shí)驗(yàn)室新型SiC Trench MOSFET科研級(jí)器件樣品發(fā)布！

英諾賽科與聯(lián)合電子成立氮化鎵 (GaN) 技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室致力于新能源汽車(chē)電力電子系統(tǒng)開(kāi)發(fā)

總投資7000萬(wàn)美元，越南峴港VSAP先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)驗(yàn)室項(xiàng)目啟動(dòng)

利亞德·虛擬動(dòng)點(diǎn)X福田實(shí)驗(yàn)室丨高精度數(shù)據(jù)采集將服務(wù)深圳千億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群

華潤(rùn)微電子與華南理工大學(xué)共建射頻微電子技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平

港科大與比亞迪成立具身智能聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室獲批設(shè)立“博士后創(chuàng)新實(shí)踐基地”

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室成功制備國(guó)內(nèi)首個(gè)氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

中電化合物與甬江實(shí)驗(yàn)室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，推動(dòng)SiC材料在AR領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議ISPSD2025

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米格實(shí)驗(yàn)室完成近億元戰(zhàn)略融資加速打造半導(dǎo)體檢測(cè)全球化標(biāo)桿

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦投嗉?jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究

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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室誠(chéng)邀全球英才加盟

九峰山實(shí)驗(yàn)室推氧化鎵科研級(jí)功率單管及coupon to wafer流片平臺(tái)

免費(fèi)報(bào)名中！4月22日九峰山實(shí)驗(yàn)室＆是德科技聯(lián)合舉辦芯片與新技術(shù)測(cè)試研討會(huì)

三項(xiàng)首創(chuàng)！九峰山實(shí)驗(yàn)室在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破

全球首創(chuàng)！九峰山實(shí)驗(yàn)室在氮極性氮化鎵材料制備領(lǐng)域取得新突破

重磅發(fā)布｜九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次發(fā)布！

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實(shí)驗(yàn)室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測(cè)研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

前瞻|松山湖材料實(shí)驗(yàn)室王方洲將出席“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”并做報(bào)告

推動(dòng)“技術(shù)首創(chuàng)”到“產(chǎn)品首發(fā)”！新春伊始，光谷這些產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室加速攻關(guān)

寬禁帶半導(dǎo)體超越照明材料與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室重組獲批！

北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲課題組聯(lián)合閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室、福州大學(xué)孫捷課題組：局域表面等離子體增強(qiáng)納米柱Micro-LED發(fā)光

武漢市新型顯示產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室啟動(dòng)

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