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廈門先進封裝測試產(chǎn)業(yè)化基地（一期）擴產(chǎn)項目進入竣工移交階段

重磅議程更新 | IPF 2025功率器件制造測試與應用大會最新議程揭曉，速來圍觀！

日本2nm芯片項目已宣布啟動測試生產(chǎn)

標準 | 長春光機所牽頭起草的3項面向光治療的柔性LED光源測試標準形成委員會草案

晶合集成獲得實用新型專利授權(quán)：“一種半導體芯片的測試裝置”

星通半導體“芯片測試封裝基地項目”落戶佛山，計劃打造大灣區(qū)規(guī)模最大的芯片測試封裝基地

半導體芯片測試封裝基地落地佛山禪城

晶圓電性測試設(shè)備廠商理萬電子完成數(shù)千萬元A+輪融資

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關(guān)損耗準確評估測試方法》立項

標準 | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動態(tài)特性測試方法》立項

我國科研人員“以柔克剛”填補微型LED晶圓無損測試技術(shù)空白

標準 |《UIS應力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布

國產(chǎn)集成電路測試設(shè)備企業(yè)鵬武電子完成A+輪數(shù)千萬元融資

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

標準 | ALN位錯密度/吸收系數(shù) 2項測試方法發(fā)布

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試方法標準形成征求意見稿

總投資10億元，杭州芯光半導體集成電路先進測試產(chǎn)線項目簽約富陽

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免費報名中！4月22日九峰山實驗室＆是德科技聯(lián)合舉辦芯片與新技術(shù)測試研討會

標準 | AlN位錯密度/吸收系數(shù)2項測試方法形成委員會草案

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免費報名| 是德科技芯片與新技術(shù)測試研討會邀您參加！——CSE2025同期活動

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總投資10億元，芯光半導體集成電路先進測試產(chǎn)線項目開工

嘉盛先創(chuàng)科技封裝測試新廠房正式啟用！

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