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報告簡介：基于深層瞬態(tài)光譜學的Al/Ti 4H-SiC肖特基結(jié)構(gòu)缺陷研究 Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures byDeep Level Transient Spectroscopy何亞偉 中國科學院半導體研究所 HE Yawei Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

瑞典隆德大學教授、瑞典皇家科學院院士、Glo AB創(chuàng)始人Lars SAMUELSON帶來了題為針對MicroLED和自形成光子結(jié)構(gòu)的納米線應用的精彩

西安交通大學教授王宏興做了關于微機電系統(tǒng)單晶金剛石微結(jié)構(gòu)制備的報告。

西安電子科技大學副教授鄭雪峰介紹了新型AlGaN/GaN HEMT Fin結(jié)構(gòu)的研究報告。

廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川分享了關于Ga2O3薄膜的光學和結(jié)構(gòu)特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導體研發(fā)已二三十年, 至今編輯出版了半導體及顯微結(jié)構(gòu)，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態(tài)照明及LED 領域的11-本英文專著，

中國科學院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出

美國密歇根大學教授Pei-Cheng KU 分享了照明和顯示應用GaN納米結(jié)構(gòu)的局部應變工程技術。Pei-Cheng Ku自2012年起，成為美國密歇根大學電機工程與計算機系副教授?，F(xiàn)在KU教授的研究專注在“節(jié)能光電”，具體包括氮化鎵光電器件、納米光電器......請您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復觀看！