英特爾公布將采用下一代極紫外光刻（EUV）技術(shù)的計劃，即高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV。借此，英特爾有望率先獲得業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。據(jù)悉，英特爾正在與ASML深入合作以確保攻關(guān)這一技術(shù)，并稱將超越當前一代EUV。在時間表上，英特爾將其劃歸在2025年以后。