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智新半導體正啟動二期項目建設方案,IGBT模塊年產能將達120萬只 預計2024年建成

日期:2022-10-10 閱讀:286
核心提示:據湖北日報報道,目前,智新半導體正啟動二期項目建設方案,年產能將達到120萬只,預計2024年建成,不僅能滿足東風公司到2025年

據湖北日報報道,目前,智新半導體正啟動二期項目建設方案,年產能將達到120萬只,預計2024年建成,不僅能滿足東風公司到2025年產銷100萬輛新能源汽車對IGBT模塊的需求,還能為其他車企供貨。

據悉,2019年6月,東風公司與中國中車在武漢合資成立智新半導體有限公司,開始自主研發(fā)生產車規(guī)級IGBT模塊。2021年7月7日,以第6代IGBT技術為基礎的生產線啟動量產,華中地區(qū)首批自主生產的車規(guī)級IGBT模塊產品正式下線。該生產線年產30萬只IGBT模塊,成功搭載到東風風神、嵐圖等品牌車型上。

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