在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)建設(shè)11座晶圓廠和4座先進(jìn)封裝廠

臺(tái)積電在推進(jìn)先進(jìn)制程研發(fā)的同時(shí)，也在全球擴(kuò)張。中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)仍是其核心基地，魏哲家稱未來幾年臺(tái)積電將在此建11座晶圓廠、4座先進(jìn)封裝廠，并在新竹與高雄布局2納米。

臺(tái)積電美國(guó)建廠備受關(guān)注，其計(jì)劃在亞利桑那州建6座先進(jìn)晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠和1個(gè)研發(fā)中心，總資本支出超1650億美元。目前，首座晶圓廠已生產(chǎn)4納米芯片；第二座3納米晶圓廠建成，量產(chǎn)或提前；第三座2納米和A16制程晶圓廠已動(dòng)工。第四座將采用N2和A16制程，第五、六座用更先進(jìn)制程，建設(shè)依市場(chǎng)需求推進(jìn)。

該擴(kuò)張計(jì)劃將使亞利桑那州形成“超大型晶圓廠集群”，滿足客戶需求。建成后，臺(tái)積電約30%的2納米及更先進(jìn)產(chǎn)能將落戶于此。

突破300億美元大關(guān)，營(yíng)收同比大增44.4%

7月17日，臺(tái)積電公布最新亮眼財(cái)報(bào)，2025年第二季度，臺(tái)積電營(yíng)收和凈利潤(rùn)實(shí)現(xiàn)雙增長(zhǎng)，尤其是營(yíng)收首次突破300億美元，再次展現(xiàn)了臺(tái)積電作為全球晶圓代工龍頭廠商強(qiáng)勁的盈利能力。

財(cái)報(bào)顯示，第二季度臺(tái)積電業(yè)績(jī)表現(xiàn)亮眼。營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣9337.9億元，同比（較上年同期新臺(tái)幣6734.1億元）增長(zhǎng)38.6%，環(huán)比（較上一季度新臺(tái)幣8392.5億元）增長(zhǎng)11.3%；稅后純益約新臺(tái)幣3982.7億元，同比增長(zhǎng)60.7%，環(huán)比增長(zhǎng)10.2%；第二季度毛利率為58.6% 。

以美元計(jì)，第二季度臺(tái)積電營(yíng)收達(dá)300.7億美元，同比（較去年同期208.2億美元）大增44.4%，增加92.5億美元；環(huán)比（較上一季度255.3億美元）增長(zhǎng)17.8%。毛利率58.6%，營(yíng)業(yè)利益率49.6%，稅后純益率42.7%。

工藝制程方面，先進(jìn)制程（7納米及以下）營(yíng)收占比升至全季晶圓銷售金額的74%，其中3納米占24%，5納米占36%，7納米占14%。

從應(yīng)用市場(chǎng)分析，第二季度，臺(tái)積電各業(yè)務(wù)板塊收入占比依次為高效能運(yùn)算（60%）、智能手機(jī)（27%）、物聯(lián)網(wǎng)（5%）、車用電子（5%）、消費(fèi)性電子（1%）、其他（2%）。

AI和HPC相關(guān)需求持續(xù)強(qiáng)勁，推動(dòng)臺(tái)積電業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。董事長(zhǎng)魏哲家稱市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體需求基本且強(qiáng)勁，近期發(fā)展對(duì)AI長(zhǎng)期需求前景正面。Token數(shù)量爆炸式增長(zhǎng)，反映AI模型應(yīng)用增多，計(jì)算需求增大，帶動(dòng)對(duì)先進(jìn)制程芯片的需求。

全面推進(jìn)N2/A16/A14先進(jìn)制程

當(dāng)前半導(dǎo)體廠商先進(jìn)制程競(jìng)賽激烈，臺(tái)積電領(lǐng)先。其N2和A16技術(shù)在高效能運(yùn)算領(lǐng)域居業(yè)界前列。

雖2納米制程尚未營(yíng)收，但魏哲家預(yù)計(jì)，受智能手機(jī)和高效能運(yùn)算應(yīng)用推動(dòng)，其前兩年新開案數(shù)量將超3/5納米前兩年總和。

進(jìn)展上，N2制程計(jì)劃2025年下半年量產(chǎn)，還將推出延伸版“N2P”，預(yù)計(jì)2026年下半年量產(chǎn)。A16結(jié)合超級(jí)電軌技術(shù)，2026年下半年量產(chǎn)，適用于復(fù)雜信號(hào)和密集電源傳輸網(wǎng)絡(luò)的產(chǎn)品。

為應(yīng)對(duì)高效能運(yùn)算需求，臺(tái)積電規(guī)劃1.4納米級(jí)A14制程，開發(fā)進(jìn)度良好，零組件性能和良率達(dá)預(yù)期，預(yù)計(jì)2028年量產(chǎn)。與N2相比，A14相同功耗下速度提升15%，或相同速度下功率降低30%，邏輯密度增加超20%。