4月20日，首屆中國光谷九峰山論壇暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)大會開幕。論壇在湖北省和武漢市政府支持下，由武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、九峰山實驗室、光谷集成電路創(chuàng)新平臺聯(lián)盟共同主辦。

開幕大會上，華為光領(lǐng)域Fellow肖新華做了“光通信發(fā)展中面臨的器件需求和挑戰(zhàn)”的主題報告。當前光通信發(fā)展中關(guān)鍵的光電器件需求涉及諸多方向，報告分享了長途光、短距光、算力光、ROF光，光交叉等多個方向的最新技術(shù)研究進展。

報告指出，長途相干預計將向單波800G/1.6T演進，推動200GB+高帶寬器件發(fā)展，其中LH 800G中，當前InP和TFLN材料平臺綜合性能優(yōu)異，均可滿足200GB。LH 1.6T需挑戰(zhàn)300GB+調(diào)制器，以及新型襯底TFLN和2.5D光電封裝技術(shù)，薄膜鈮酸鋰持續(xù)摸高，也需要探索新型低介電襯底材料提升芯片高頻響應，基于垂直電互連2.5D先進封裝架構(gòu)提升器件帶寬。

數(shù)據(jù)中心是重要的場景，數(shù)據(jù)中心涉及800GE和1.6TE短距光互連，2~10km直檢和相干方案并存。其中800GE面臨單通道200G、Linear架構(gòu)、10km色散和鏈路預算等挑戰(zhàn)。1.6T極簡相干中算法補償器件要求，低功耗光電器件是關(guān)鍵。工藝的角度，規(guī)?；慨a(chǎn)需要攻克大尺寸晶圓和高速/高密封裝。報告中肖新華表示，8寸及以上鈮酸鋰晶體和晶圓，支撐8寸及以上晶圓開發(fā)，鈮酸鋰薄膜厚度均勻性±10nm，缺陷數(shù)量<100, 電光系數(shù)31pm/V，光電合封，也在探索兼顧射頻傳輸、光引出、大尺寸的玻璃基潛在方案。

算力網(wǎng)絡方向，AI算力單元需高密扇出、超低功耗/時延光I/O互聯(lián)，消除通信墻。業(yè)界有潛在的pJ級Small光I/O互聯(lián)技術(shù)的研究方向。

光RoF預計將是支撐未來無線和WiFi前端低功耗的重要技術(shù)，通過RoF模擬前傳光網(wǎng)絡實現(xiàn)高速信號傳輸，降低海量頭端能耗與成本，前傳網(wǎng)絡對系統(tǒng)動態(tài)范圍提出更高要求，亟需新材料、新工藝與新器件拉升前傳系統(tǒng)性能，實現(xiàn)大帶寬大動態(tài)范圍前傳網(wǎng)絡。

未來光通信，光傳感、光顯示將涉及星際光、激光雷達、超長距光纖傳感、AR HUD虛實結(jié)合等方向延伸。

報告指出，長途相干預計將向單波800G/1.6T演進，推動200GB+高帶寬器件發(fā)展。光RoF預計將是支撐未來無線和WiFi前瞻低功耗的重要技術(shù)。未來光通信，光傳感、光顯示將涉及星際光、激光雷達、超長距光纖傳感、AR HUD虛實結(jié)合等方向延伸。