3月1日晚間，拓荊科技(688072)發(fā)布投建“高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目”并變更部分募集資金用途投入該項目的公告。

具體來看，公司董事會同意投資建設(shè)“高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目”，該項目以公司及全資子公司拓荊創(chuàng)益為實施主體，項目總投資額約為11億元，其中公司投資金額約為3.8億元，拓荊創(chuàng)益投資金額約為7.2億元。公司擬調(diào)減首發(fā)募投項目“先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項目”募集資金承諾投資總額2億元，同時調(diào)減超募資金投資項目“半導(dǎo)體先進(jìn)工藝裝備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目”的募集資金承諾投資總額5000萬元，并將上述調(diào)減的募集資金合計2.5億元投入“高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目”，其余項目資金8.5億元由公司及拓荊創(chuàng)益自籌。

據(jù)披露，該項目建設(shè)周期預(yù)計為4年。談及必要性，拓荊科技認(rèn)為，項目通過建設(shè)高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地，支撐公司PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品未來的產(chǎn)業(yè)化需求，進(jìn)而滿足集成電路制造產(chǎn)線的擴(kuò)產(chǎn)需求，有利于推動集成電路設(shè)備技術(shù)的發(fā)展，對于落實國家發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃具有重要意義。此外，本項目將為現(xiàn)有研發(fā)成果及新工藝、新產(chǎn)品投入量產(chǎn)提供支撐條件，其有利于提升公司核心競爭力，鞏固公司在行業(yè)的領(lǐng)先地位。

從行業(yè)情況來看，根據(jù)SEMI預(yù)測，預(yù)計2024年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備的銷售額達(dá)到1000億美元。縱觀半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷史，雖然行業(yè)呈現(xiàn)明顯的周期性波動，但整體增長趨勢并未發(fā)生變化。在人工智能、大數(shù)據(jù)、智能駕駛、新能源等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展拉動下，晶圓廠將持續(xù)進(jìn)行資本開支，擴(kuò)充產(chǎn)能，這將帶動半導(dǎo)體設(shè)備的市場需求量的增長。薄膜沉積設(shè)備作為集成電路晶圓制造的核心設(shè)備，具有較大的市場需求和增長空間。

公開資料顯示，拓荊科技一直專注于高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的技術(shù)研發(fā)，自成立以來，公司始終堅持自主研發(fā)，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜設(shè)備產(chǎn)品系列，廣泛應(yīng)用于國內(nèi)集成電路邏輯芯片、存儲芯片等制造產(chǎn)線，在半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域積累了多項國際先進(jìn)的核心技術(shù)，構(gòu)建了具有設(shè)備種類、工藝型號外延開發(fā)能力的研發(fā)平臺。

此前業(yè)績快報披露，2023年度公司實現(xiàn)營業(yè)收入27.05億元，同比增長58.60%；同期實現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤6.65億元，同比增長80.38%；業(yè)績增長主要系公司持續(xù)高強度的研發(fā)投入，突破核心技術(shù)，在推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化和迭代升級各產(chǎn)品系列的過程中取得了重要成果，產(chǎn)品競爭力持續(xù)增強。

“公司本次新建項目通過提升公司半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的產(chǎn)能，可以進(jìn)一步推動公司業(yè)務(wù)規(guī)模的持續(xù)增長，進(jìn)而提升公司薄膜沉積設(shè)備的市場份額，抓住市場機遇，迅速擴(kuò)大企業(yè)規(guī)模。”拓荊科技認(rèn)為。

當(dāng)日，公司還披露一份回購方案。公司擬以1.2億元至1.97億元回購股份，用于股權(quán)激勵或員工持股計劃，回購價格不超過270元/股（含）。