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芯谷第三代半導體設備項目主體結構正式封頂

日期:2024-11-22 閱讀:479
核心提示:位于吳中區(qū)的芯谷半導體研發(fā)智造項目——兩幢研發(fā)樓主體結構正式封頂

 近日,位于吳中區(qū)的芯谷半導體研發(fā)智造項目——兩幢研發(fā)樓主體結構正式封頂,預計明年12月底即可交付使用。

該項目占地面積110.9畝,建筑面積約30萬平方米,計劃總投資16.8億元,規(guī)劃建造2幢研發(fā)辦公樓、4幢高標準廠房。目前,廠房主體結構已全部封頂,二次結構完成60%;研發(fā)樓主體結構已封頂,二次結構完成50%,各項建設工作正在推進中。項目建成后將用于第三代半導體及集成電路專用設備的研發(fā)生產。

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