近日，珠海華芯微電子有限公司（以下簡稱“華芯微電子”）宣布，其首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線已正式調試完成，并成功制造出首片6英寸2微米砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）晶圓。這一重大進展標志著華芯微電子在化合物半導體技術領域實現(xiàn)了關鍵突破，同時也為未來的大規(guī)模生產(chǎn)打下了堅實的基礎。

據(jù)悉，華芯微電子在珠海高新區(qū)投資建設的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項目中，6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線已經(jīng)順利啟動，并成功產(chǎn)出首批6英寸2微米砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）晶圓。該項目自開工以來，得到了廣東省、珠海市政府以及珠海高新區(qū)的積極支持，同時也獲得了眾多合作伙伴的協(xié)助。華芯微電子與格力集團等設計和施工單位緊密協(xié)作，高效推進了項目的建設。項目主體結構封頂僅耗時184天，設備安裝和二次配工程在180天內(nèi)完成，設備調試和生產(chǎn)線貫通更是僅用了90天，這一速度和執(zhí)行力令人矚目。

此次成功生產(chǎn)的6英寸2微米砷化鎵HBT晶圓以其高增益和高效率的特點，預計將在5G Phase 7/8手機功率放大器模組和Wi-Fi 6/7等設備中發(fā)揮重要作用。這款產(chǎn)品的推出，不僅擴展了華芯微電子的產(chǎn)品系列，也標志著公司在射頻芯片國產(chǎn)化制造領域取得了新的成就。