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國際首發(fā)！深圳平湖實驗室研制8英寸4°傾角4H-SiC上高質(zhì)量GaN外延

九峰山實驗室新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品發(fā)布！

英諾賽科與聯(lián)合電子成立氮化鎵 (GaN) 技術(shù)聯(lián)合實驗室致力于新能源汽車電力電子系統(tǒng)開發(fā)

總投資7000萬美元，越南峴港VSAP先進封裝技術(shù)實驗室項目啟動

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深圳平湖實驗室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進展，性能指標(biāo)達到國際先進水平

港科大與比亞迪成立具身智能聯(lián)合實驗室

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深圳平湖實驗室獲批設(shè)立“博士后創(chuàng)新實踐基地”

復(fù)旦大學(xué)田朋飛教授課題組首次在實驗層面實現(xiàn)了雨天環(huán)境下30 Gbps的VLC系統(tǒng)

深圳平湖實驗室成功制備國內(nèi)首個氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

中電化合物與甬江實驗室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，推動SiC材料在AR領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

深圳平湖實驗室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國際頂級學(xué)術(shù)會議ISPSD2025

集成電路學(xué)院功率集成技術(shù)實驗室第9次斬獲IEEE ISPSD 發(fā)表論文數(shù)全球第一

臺積電-東京大學(xué)實驗室啟用，雙方聯(lián)手推動半導(dǎo)體研究和教育

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米格實驗室完成近億元戰(zhàn)略融資加速打造半導(dǎo)體檢測全球化標(biāo)桿

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜垩趸壒β势骷难芯?/a>

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三項首創(chuàng)！九峰山實驗室在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破

全球首創(chuàng)！九峰山實驗室在氮極性氮化鎵材料制備領(lǐng)域取得新突破

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

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武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實驗室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進展

前瞻|松山湖材料實驗室王方洲將出席“2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”并做報告

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