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九峰山實驗室新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品發(fā)布！

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應用，贏得市場認可

羅姆碳化硅 MOSFET 裸芯片獲豐田 bZ5 電動汽車牽引逆變器應用

Wolfspeed推出新型頂部散熱（TSC）碳化硅MOSFET和肖特基二極管，優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

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標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關損耗準確評估測試方法》立項

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瞻芯電子與浙江大學聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應用技術革新

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

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CSPSD 2025前瞻|復旦大學劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結溫測量方法研究

CSPSD 2025前瞻|山東大學劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導體技術創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進展

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瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

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蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準度

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

報告前瞻|湖南三安半導體許志維：SiC MOSFET器件技術之發(fā)展與挑戰(zhàn)

Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技術平臺

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