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天岳先進開啟招股，擬募資約18億擴張大尺寸SiC襯底產(chǎn)能

羅姆第一財季營業(yè)利潤驟降84.6%，承認中國SiC基板功能已達到頂級水平

九峰山實驗室新型SiC Trench MOSFET科研級器件樣品發(fā)布！

小米YU7電動SUV車型將搭載安森美EliteSiC M3e技術(shù)的先進800V驅(qū)動平臺

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

廣州粵升8英寸SiC外延設(shè)備完成研發(fā)并出貨

安森美和舍弗勒擴大合作，推出基于EliteSiC的新型插電式混合動力汽車平臺

晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠

標準 | “基于感性負載的SiC 功率模塊老化篩選試驗方法”形成委員會草案

瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用，贏得市場認可

晶盛機電馬來西亞 SiC 工廠啟動！

斯達半導(dǎo)擬再融資15億元，投向SiC等3大車規(guī)器件項目

中電化合物與甬江實驗室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，推動SiC材料在AR領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關(guān)損耗準確評估測試方法》立項

標準 | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動態(tài)特性測試方法》立項

某單位SIC光刻版采購項目公開招標公告

年產(chǎn)100萬只！這個SiC模塊產(chǎn)線落戶廣東省

瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果，助力高壓應(yīng)用技術(shù)革新

從8英寸量產(chǎn)到12英寸突破！合盛硅業(yè)全鏈條攻克SiC核心技術(shù)再攀高峰！

株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線年底通線

年底通線！株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進展

天岳先進：上海臨港工廠二期8吋SiC襯底擴產(chǎn)計劃正在推進中

效率損耗雙領(lǐng)跑！大族半導(dǎo)體SiC晶錠激光剝片技術(shù)單片15min單耗470μm！

標準 |華峰測控牽頭的3項SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測試方法形成征求意見稿

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CSPSD 2025前瞻|揚杰科技施俊：SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來趨勢

CSPSD 2025前瞻|國聯(lián)萬眾王川寶：SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進展

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進展

揚杰科技10億元SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項目開工

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進展

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