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中電南方國基集團李士顏：功率碳化硅MOSFET芯片及模塊研究進展及應用

功率半導體國產化進程提速，當前國際競爭格局如何？

CREE科銳John Palmour ：賦能未來，勇往直前 SiC MOSFET問世10周年的思索

東芝推出采用TOLL封裝的650V超級結功率MOSFET 助力提高大電流設備的效率

東芝將新建 300mm 晶圓廠，用于生產 MOSFET 和 IGBT

新一代 SiC 功率 MOSFET 器件研究進展

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設備效率和小型化

碳化硅，十四五研發(fā)的第三代半導體熱門材料！

安森美半導體發(fā)布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

聯(lián)合電子首款基于 SiC MOSFET的 6.6kW 車載充配電單元批產

中國公司在汽車半導體領域的發(fā)展方向

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紫光國微：公司半導體功率器件業(yè)務的主要產品包括MOSFET、IGBT、IGTO等以及相關的電源管理集成電路產品

我國功率半導體行業(yè)整體發(fā)展向好 MOSFET市場規(guī)模快速增長

青銅劍科技董事長汪之涵：用心打造中國“芯”

華潤微發(fā)漲價函！打響2021年，MOSFET漲價第一槍

日本豐田汽車公司Kimimori HAMADA：超窄體（UNB）MOSFET和接地窄而深p（GND）MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑戰(zhàn)性結構

中電科55所李士顏博士：碳化硅功率MOSFET研究進展

東芝推出1200V碳化硅MOSFET！適用于高效率電源

8吋晶圓產能緊缺，MOSFET價格加速上漲

六步挑選一個碳化硅MOSFET

晶圓產能緊張需求暴漲 MOSFET價格或飆升20%

減少開關損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估

采用Wolfspeed 第三代 650V SiC MOSFET，突破電源效率屏障

分析本土車規(guī)級IGBT產業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)格局及未來趨勢

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅動器的能源效率

科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領先效率，助力新一代電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能應用創(chuàng)新

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